CY14B101LA-ZS25XI | Rochester Electronics CY14B101LA-ZS25XI | CY14B101LA-ZS25XI Inventory, Best Pricing

CY14B101LA-ZS25XI

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Número de parte	CY14B101LA-ZS25XI
LIXINC Part #	CY14B101LA-ZS25XI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY14B101LA-ZS25XI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY14B101LA-ZS25XI Especificaciones

Número de parte:	CY14B101LA-ZS25XI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	NVSRAM
tecnología:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:	1Mb (128K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	25ns
tiempo de acceso:	25 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	44-TSOP II

23K640-I/ST	IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP	2223 Más sobre el pedido
IS43DR16640B-25DBL-TR	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	802 Más sobre el pedido
AF016GEC5X-2001IX	IC 16GBIT 153BGA	930 Más sobre el pedido
93LC46BT-E/ST	IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP	878 Más sobre el pedido
CY7C1512KV18-250BZIT	IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA	833 Más sobre el pedido
CAT24C08VP21-GT3	IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8TDFN	24877 Más sobre el pedido
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