71V67603S166BQG8 | Renesas Electronics America 71V67603S166BQG8 | 71V67603S166BQG8 Inventory, Best Pricing

71V67603S166BQG8

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Número de parte	71V67603S166BQG8
LIXINC Part #	71V67603S166BQG8
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	71V67603S166BQG8 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 06 - Jul 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

71V67603S166BQG8 Especificaciones

Número de parte:	71V67603S166BQG8
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:	9Mb (256K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	166 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	3.5 ns
suministro de voltaje:	3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-TBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-CABGA (13x15)

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BR25L080FV-WE2	IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8SSOPB	823 Más sobre el pedido
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BR24L32FV-WE2	IC EEPROM 32KBIT I2C 8SSOPB	1238 Más sobre el pedido
AT28C256E-25DM/883	IC EEPROM 256KBIT PAR 28CDIP	956 Más sobre el pedido
CY7C199D-10VXIT	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ	3325 Más sobre el pedido
AT24CSW040-UUM0B-T	IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP	899 Más sobre el pedido
CY7C1370B-133BZC	ZBT SRAM, 512KX36, 4.2NS	824 Más sobre el pedido
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