Solo por referencia
Número de parte | W632GU8NB-11 |
LIXINC Part # | W632GU8NB-11 |
Fabricante | Winbond Electronics Corporation |
Categoría | circuitos integrados › memoria |
Descripción | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | W632GU8NB-11 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | W632GU8NB-11 |
Marca: | Winbond Electronics Corporation |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | circuitos integrados |
Subcategoría: | memoria |
Fabricante: | Winbond Electronics Corporation |
serie: | - |
paquete: | Tray |
estado de la pieza: | Active |
tipo de memoria: | Volatile |
formato de memoria: | DRAM |
tecnología: | SDRAM - DDR3L |
tamaño de la memoria: | 2Gb (256M x 8) |
interfaz de memoria: | Parallel |
frecuencia de reloj: | 933 MHz |
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página: | 15ns |
tiempo de acceso: | 20 ns |
suministro de voltaje: | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete / caja: | 78-VFBGA |
paquete de dispositivos del proveedor: | 78-VFBGA (8x10.5) |
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En stock | 10821 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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