CY7C1360C-200BGCT

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Número de parte	CY7C1360C-200BGCT
LIXINC Part #	CY7C1360C-200BGCT
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1360C-200BGCT Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 15 - Jul 19 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C1360C-200BGCT Especificaciones

Número de parte:	CY7C1360C-200BGCT
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:	9Mb (256K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	3 ns
suministro de voltaje:	3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	119-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	119-PBGA (14x22)

CY7C1360C-200BGCT Documentos

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