CY14B104N-BA45XI

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Número de parte	CY14B104N-BA45XI
LIXINC Part #	CY14B104N-BA45XI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY14B104N-BA45XI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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CY14B104N-BA45XI Especificaciones

Número de parte:	CY14B104N-BA45XI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	NVSRAM
tecnología:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:	4Mb (256K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	45ns
tiempo de acceso:	45 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	48-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	48-FBGA (6x10)

CY14B104N-BA45XI Documentos

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