CYDM128B08-55BVXI | Rochester Electronics CYDM128B08-55BVXI | CYDM128B08-55BVXI Inventory, Best Pricing

CYDM128B08-55BVXI

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Número de parte	CYDM128B08-55BVXI
LIXINC Part #	CYDM128B08-55BVXI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CYDM128B08-55BVXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CYDM128B08-55BVXI Especificaciones

Número de parte:	CYDM128B08-55BVXI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, MoBL
tamaño de la memoria:	128Kb (16K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	55ns
tiempo de acceso:	55 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	100-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	100-VFBGA (6x6)