AS6C2016-55BINTR

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Número de parte	AS6C2016-55BINTR
LIXINC Part #	AS6C2016-55BINTR
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS6C2016-55BINTR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 19 - Oct 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AS6C2016-55BINTR Especificaciones

Número de parte:	AS6C2016-55BINTR
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	2Mb (128K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	55ns
tiempo de acceso:	55 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	48-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	48-TFBGA (6x8)

AS6C2016-55BINTR Documentos

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