71V124SA10YG

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Número de parte	71V124SA10YG
LIXINC Part #	71V124SA10YG
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	71V124SA10YG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 04 - Jul 08 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

71V124SA10YG Especificaciones

Número de parte:	71V124SA10YG
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	1Mb (128K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	10 ns
suministro de voltaje:	3.15V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	32-SOJ

71V124SA10YG Documentos

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