71V016SA20YG

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Número de parte	71V016SA20YG
LIXINC Part #	71V016SA20YG
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	71V016SA20YG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

71V016SA20YG Especificaciones

Número de parte:	71V016SA20YG
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	1Mb (64K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	20ns
tiempo de acceso:	20 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	44-SOJ

71V016SA20YG Documentos

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