TH58NYG3S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58NYG3S0HBAI4

TH58NYG3S0HBAI4

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TH58NYG3S0HBAI4
LIXINC Part #	TH58NYG3S0HBAI4
Fabricante	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TH58NYG3S0HBAI4 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 30 - Nov 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TH58NYG3S0HBAI4 Especificaciones

Número de parte:	TH58NYG3S0HBAI4
Marca:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (SLC)
tamaño de la memoria:	8Gb (1G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	25ns
tiempo de acceso:	25 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	63-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	63-TFBGA (9x11)

Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.

Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.

[email protected]

LIXINC

Enviar mensaje

Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015