IS46DR16640C-3DBLA1 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS46DR16640C-3DBLA1 | IS46DR16640C-3DBLA1 Inventory, Best Pricing

IS46DR16640C-3DBLA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IS46DR16640C-3DBLA1
LIXINC Part #	IS46DR16640C-3DBLA1
Fabricante	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IS46DR16640C-3DBLA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IS46DR16640C-3DBLA1 Especificaciones

Número de parte:	IS46DR16640C-3DBLA1
Marca:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:	1Gb (64M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	333 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	450 ps
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	84-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	84-TWBGA (8x12.5)