CY14B116M-BZ45XI

CY14B116M-BZ45XI
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Número de parte CY14B116M-BZ45XI
LIXINC Part # CY14B116M-BZ45XI
Fabricante Rochester Electronics
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 45NS P
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CY14B116M-BZ45XI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Nov 01 - Nov 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14B116M-BZ45XI Especificaciones

Número de parte:CY14B116M-BZ45XI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Rochester Electronics
serie:-
paquete:Bulk
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:NVSRAM
tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:16Mb (1M x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:45ns
tiempo de acceso:45 ns
suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:165-FBGA (15x17)

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