CY7C1362A-200BGC

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Número de parte CY7C1362A-200BGC
LIXINC Part # CY7C1362A-200BGC
Fabricante Rochester Electronics
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción CACHE SRAM, 512KX18, 3NS
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CY7C1362A-200BGC Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1362A-200BGC Especificaciones

Número de parte:CY7C1362A-200BGC
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Rochester Electronics
serie:-
paquete:Bulk
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:3 ns
suministro de voltaje:3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:119-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:119-PBGA (14x22)

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