W949D2DBJX5E | Winbond Electronics Corporation W949D2DBJX5E

W949D2DBJX5E

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Número de parte	W949D2DBJX5E
LIXINC Part #	W949D2DBJX5E
Fabricante	Winbond Electronics Corporation
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	W949D2DBJX5E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

W949D2DBJX5E Especificaciones

Número de parte:	W949D2DBJX5E
Marca:	Winbond Electronics Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Winbond Electronics Corporation
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR
tamaño de la memoria:	512Mb (16M x 32)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	5 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	90-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	90-VFBGA (8x13)

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