AS4C8M16D1-5BINTR

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Número de parte	AS4C8M16D1-5BINTR
LIXINC Part #	AS4C8M16D1-5BINTR
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS4C8M16D1-5BINTR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AS4C8M16D1-5BINTR Especificaciones

Número de parte:	AS4C8M16D1-5BINTR
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR
tamaño de la memoria:	128Mb (8M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	700 ps
suministro de voltaje:	2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	60-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	60-TFBGA (8x13)

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