MT29F512G08EBHBFJ4-R:B | Micron Technology MT29F512G08EBHBFJ4-R:B | MT29F512G08EBHBFJ4-R:B Inventory, Best Pricing

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
LIXINC Part #	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 19 - Oct 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B Especificaciones

Número de parte:	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (TLC)
tamaño de la memoria:	512Gb (64G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	132-VBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	132-VBGA (12x18)