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CY7C1041G30-10BVJXI

CY7C1041G30-10BVJXI
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Número de parte CY7C1041G30-10BVJXI
LIXINC Part # CY7C1041G30-10BVJXI
Fabricante Cypress Semiconductor
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CY7C1041G30-10BVJXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Jun 30 - Jul 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1041G30-10BVJXI Especificaciones

Número de parte:CY7C1041G30-10BVJXI
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Cypress Semiconductor
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:4Mb (256K x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:10ns
tiempo de acceso:10 ns
suministro de voltaje:2.2V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:48-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:48-VFBGA (6x8)

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