Solo por referencia
Número de parte | 70V657S12BFI8 |
LIXINC Part # | 70V657S12BFI8 |
Fabricante | Renesas Electronics America |
Categoría | circuitos integrados › memoria |
Descripción | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | 70V657S12BFI8 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 07 - Jul 11 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | 70V657S12BFI8 |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | circuitos integrados |
Subcategoría: | memoria |
Fabricante: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
paquete: | Tape & Reel (TR) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de memoria: | Volatile |
formato de memoria: | SRAM |
tecnología: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
tamaño de la memoria: | 1.125Mb (32K x 36) |
interfaz de memoria: | Parallel |
frecuencia de reloj: | - |
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página: | 12ns |
tiempo de acceso: | 12 ns |
suministro de voltaje: | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete / caja: | 208-LFBGA |
paquete de dispositivos del proveedor: | 208-CABGA (15x15) |
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En stock | 10964 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $105.42710 | $105.4271 |
1000 | $75.19509 | $75195.09 |
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