W631GG6MB11I TR | Winbond Electronics Corporation W631GG6MB11I TR

W631GG6MB11I TR

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Número de parte	W631GG6MB11I TR
LIXINC Part #	W631GG6MB11I TR
Fabricante	Winbond Electronics Corporation
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	W631GG6MB11I TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

W631GG6MB11I TR Especificaciones

Número de parte:	W631GG6MB11I TR
Marca:	Winbond Electronics Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Winbond Electronics Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR3
tamaño de la memoria:	1Gb (64M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	933 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	20 ns
suministro de voltaje:	1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	96-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	96-VFBGA (7.5x13)

FM24C128FLMW8	IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC	4458 Más sobre el pedido
AT25TE001-SSHN-T	IC 1MBIT 8SOIC	931 Más sobre el pedido
34LC02-I/P	IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8DIP	1393 Más sobre el pedido
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CY7C1020BN-15ZXC	IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II	1938 Más sobre el pedido
BR24T128FV-WE2	IC EEPROM 128K I2C 8SSOPB	7041 Más sobre el pedido
GD25Q20CTIG	IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP	904 Más sobre el pedido
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24LC02BHT-I/MNY	IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN	3257 Más sobre el pedido
11LC010-E/P	IC EEPROM 1KBIT SINGLE WIRE 8DIP	936 Más sobre el pedido
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