DS2030Y-100#

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Número de parte	DS2030Y-100#
LIXINC Part #	DS2030Y-100#
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DS2030Y-100# Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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Envío

DS2030Y-100# Especificaciones

Número de parte:	DS2030Y-100#
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	NVSRAM
tecnología:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:	256Kb (32K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	100ns
tiempo de acceso:	100 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	256-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	256-BGA (27x27)

DS2030Y-100# Documentos

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