CY7C4122KV13-933FCXC | Rochester Electronics CY7C4122KV13-933FCXC | CY7C4122KV13-933FCXC Inventory, Best Pricing

CY7C4122KV13-933FCXC

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Número de parte	CY7C4122KV13-933FCXC
LIXINC Part #	CY7C4122KV13-933FCXC
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	QDR SRAM, 8MX18 PBGA361
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C4122KV13-933FCXC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C4122KV13-933FCXC Especificaciones

Número de parte:	CY7C4122KV13-933FCXC
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, QDR IV
tamaño de la memoria:	144Mb (8M x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	933 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.26V ~ 1.34V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	361-BBGA, FCBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	361-FCBGA (21x21)