70T3509MS133BPGI | Renesas Electronics America 70T3509MS133BPGI | 70T3509MS133BPGI Inventory, Best Pricing

70T3509MS133BPGI

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Número de parte	70T3509MS133BPGI
LIXINC Part #	70T3509MS133BPGI
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	70T3509MS133BPGI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

70T3509MS133BPGI Especificaciones

Número de parte:	70T3509MS133BPGI
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Synchronous
tamaño de la memoria:	36Mb (1M x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	133 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	4.2 ns
suministro de voltaje:	2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	256-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	256-CABGA (17x17)

93AA86/P	IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8DIP	890 Más sobre el pedido
GD25Q127CBIGY	IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 24TFBGA	816 Más sobre el pedido
6116LA55DB	IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP	830 Más sobre el pedido
IS43R86400E-5BL	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA	891 Más sobre el pedido
IS61WV51216BLL-10MLI-TR	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA	818 Más sobre el pedido
24LC024HT-E/SN	IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOIC	884 Más sobre el pedido
S40410161B1B2I010	IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100LBGA	923 Más sobre el pedido
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