CY7S1061GE30-10BVM | Cypress Semiconductor CY7S1061GE30-10BVM | CY7S1061GE30-10BVM Inventory, Best Pricing

CY7S1061GE30-10BVM

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Número de parte	CY7S1061GE30-10BVM
LIXINC Part #	CY7S1061GE30-10BVM
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7S1061GE30-10BVM Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7S1061GE30-10BVM Especificaciones

Número de parte:	CY7S1061GE30-10BVM
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:	16Mb (1M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	10 ns
suministro de voltaje:	2.2V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	48-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	48-VFBGA (6x8)