MT58L512Y36DT-7.5 | Rochester Electronics MT58L512Y36DT-7.5 | MT58L512Y36DT-7.5 Inventory, Best Pricing

MT58L512Y36DT-7.5

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Número de parte	MT58L512Y36DT-7.5
LIXINC Part #	MT58L512Y36DT-7.5
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT58L512Y36DT-7.5 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT58L512Y36DT-7.5 Especificaciones

Número de parte:	MT58L512Y36DT-7.5
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	SYNCBURST™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM
tamaño de la memoria:	18Mb (512K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	133 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	4.2 ns
suministro de voltaje:	3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	100-LQFP
paquete de dispositivos del proveedor:	100-TQFP (14x20.1)