MT54V512H18EF-10 | Rochester Electronics MT54V512H18EF-10 | MT54V512H18EF-10 Inventory, Best Pricing

MT54V512H18EF-10

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Número de parte	MT54V512H18EF-10
LIXINC Part #	MT54V512H18EF-10
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT54V512H18EF-10 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT54V512H18EF-10 Especificaciones

Número de parte:	MT54V512H18EF-10
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	QDR™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Quad Port, Synchronous
tamaño de la memoria:	9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	100 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-TBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-FBGA (13x15)