NV25160DWHFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV25160DWHFT3G

NV25160DWHFT3G

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Número de parte	NV25160DWHFT3G
LIXINC Part #	NV25160DWHFT3G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NV25160DWHFT3G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 19 - Oct 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NV25160DWHFT3G Especificaciones

Número de parte:	NV25160DWHFT3G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EEPROM
tecnología:	-
tamaño de la memoria:	16Kb (2K x 8)
interfaz de memoria:	SPI
frecuencia de reloj:	10 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	4ms
tiempo de acceso:	40 ns
suministro de voltaje:	2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC