NV34C04MU3VTG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV34C04MU3VTG

NV34C04MU3VTG

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Número de parte	NV34C04MU3VTG
LIXINC Part #	NV34C04MU3VTG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NV34C04MU3VTG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NV34C04MU3VTG Especificaciones

Número de parte:	NV34C04MU3VTG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EEPROM
tecnología:	EEPROM
tamaño de la memoria:	4Kb (512 x 8, 256 x 16)
interfaz de memoria:	I²C
frecuencia de reloj:	1 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	4ms
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-UFDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	8-UDFN (2x3)