CY7C1474V25-200BGC

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Número de parte	CY7C1474V25-200BGC
LIXINC Part #	CY7C1474V25-200BGC
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	ZBT SRAM, 1MX72, 3NS PBGA209
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1474V25-200BGC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C1474V25-200BGC Especificaciones

Número de parte:	CY7C1474V25-200BGC
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	NoBL™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:	72Mb (1M x 72)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	3 ns
suministro de voltaje:	2.375V ~ 2.625V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	209-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	209-FBGA (14x22)

CY7C1474V25-200BGC Documentos

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