RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | Renesas Electronics America RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | RMLV0816BGSD-4S2#HC0 Inventory, Best Pricing

RMLV0816BGSD-4S2#HC0

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Número de parte	RMLV0816BGSD-4S2#HC0
LIXINC Part #	RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RMLV0816BGSD-4S2#HC0 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 23 - Oct 27 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RMLV0816BGSD-4S2#HC0 Especificaciones

Número de parte:	RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM
tamaño de la memoria:	8Mb (1M x 8, 512K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	45ns
tiempo de acceso:	45 ns
suministro de voltaje:	2.4V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	52-TSOP II