CY14B512J2-SXI

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Número de parte	CY14B512J2-SXI
LIXINC Part #	CY14B512J2-SXI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC NVSRAM 512KBIT I2C 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY14B512J2-SXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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CY14B512J2-SXI Especificaciones

Número de parte:	CY14B512J2-SXI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	NVSRAM
tecnología:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:	512Kb (64K x 8)
interfaz de memoria:	I²C
frecuencia de reloj:	3.4 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC

CY14B512J2-SXI Documentos

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