NV24C08MUW3VLTBG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV24C08MUW3VLTBG

NV24C08MUW3VLTBG

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Número de parte	NV24C08MUW3VLTBG
LIXINC Part #	NV24C08MUW3VLTBG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NV24C08MUW3VLTBG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NV24C08MUW3VLTBG Especificaciones

Número de parte:	NV24C08MUW3VLTBG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EEPROM
tecnología:	EEPROM
tamaño de la memoria:	8Kb (1K x 8)
interfaz de memoria:	I²C
frecuencia de reloj:	1 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	4ms
tiempo de acceso:	450 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-UFDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	8-UDFN (2x3)