7164S25DB

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Número de parte	7164S25DB
LIXINC Part #	7164S25DB
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CERDIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	7164S25DB Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 23 - Oct 27 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

7164S25DB Especificaciones

Número de parte:	7164S25DB
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	64Kb (8K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	25ns
tiempo de acceso:	25 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	28-CDIP (0.600", 15.24mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	28-CerDip

7164S25DB Documentos

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