AS6C2008-55BIN

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Número de parte	AS6C2008-55BIN
LIXINC Part #	AS6C2008-55BIN
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS6C2008-55BIN Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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AS6C2008-55BIN Especificaciones

Número de parte:	AS6C2008-55BIN
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	2Mb (256K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	55ns
tiempo de acceso:	55 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	36-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	36-TFBGA (6x8)

AS6C2008-55BIN Documentos

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