MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

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Número de parte MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
LIXINC Part # MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 23 - Oct 27 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Especificaciones

Número de parte:MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:Automotive, AEC-Q100
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:12Gb (384M x 32)
interfaz de memoria:-
frecuencia de reloj:2.133 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.1V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:200-WFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:200-WFBGA (10x14.5)

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