S29GL512S12TFBV10 | Cypress Semiconductor S29GL512S12TFBV10 | S29GL512S12TFBV10 Inventory, Best Pricing

S29GL512S12TFBV10

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Número de parte	S29GL512S12TFBV10
LIXINC Part #	S29GL512S12TFBV10
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	S29GL512S12TFBV10 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

S29GL512S12TFBV10 Especificaciones

Número de parte:	S29GL512S12TFBV10
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	GL-S
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NOR
tamaño de la memoria:	512Mb (32M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	60ns
tiempo de acceso:	120 ns
suministro de voltaje:	1.65V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	56-TSOP