70T633S10BF

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Número de parte	70T633S10BF
LIXINC Part #	70T633S10BF
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	70T633S10BF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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70T633S10BF Especificaciones

Número de parte:	70T633S10BF
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
tamaño de la memoria:	9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	10 ns
suministro de voltaje:	2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	208-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	208-CABGA (15x15)

70T633S10BF Documentos

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