IS61QDP2B21M18A-333M3L | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61QDP2B21M18A-333M3L | IS61QDP2B21M18A-333M3L Inventory, Best Pricing

IS61QDP2B21M18A-333M3L

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Número de parte	IS61QDP2B21M18A-333M3L
LIXINC Part #	IS61QDP2B21M18A-333M3L
Fabricante	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IS61QDP2B21M18A-333M3L Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IS61QDP2B21M18A-333M3L Especificaciones

Número de parte:	IS61QDP2B21M18A-333M3L
Marca:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, QUADP
tamaño de la memoria:	18Mb (1M x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	333 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	8.4 ns
suministro de voltaje:	1.71V ~ 1.89V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-LFBGA (15x17)