MT53D512M32D2DS-053 WT:D

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Número de parte MT53D512M32D2DS-053 WT:D
LIXINC Part # MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT53D512M32D2DS-053 WT:D Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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MT53D512M32D2DS-053 WT:D Especificaciones

Número de parte:MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:16Gb (512M x 32)
interfaz de memoria:-
frecuencia de reloj:1.866 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.1V
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:200-WFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:200-WFBGA (10x14.5)

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