TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

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Número de parte	TH58BYG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TH58BYG2S3HBAI6 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TH58BYG2S3HBAI6 Especificaciones

Número de parte:	TH58BYG2S3HBAI6
Marca:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:	Benand™
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (SLC)
tamaño de la memoria:	4Gb (512M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	25ns
tiempo de acceso:	25 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	67-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	67-VFBGA (6.5x8)

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