EDB5432BEBH-1DAAT-F-D | Micron Technology EDB5432BEBH-1DAAT-F-D | EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Inventory, Best Pricing

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
LIXINC Part #	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Especificaciones

Número de parte:	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR2
tamaño de la memoria:	512Mb (16M x 32)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	533 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	134-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	134-VFBGA (10x11.5)