AS4C512M8D3B-12BCNTR | Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BCNTR | AS4C512M8D3B-12BCNTR Inventory, Best Pricing

AS4C512M8D3B-12BCNTR

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AS4C512M8D3B-12BCNTR
LIXINC Part #	AS4C512M8D3B-12BCNTR
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS4C512M8D3B-12BCNTR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AS4C512M8D3B-12BCNTR Especificaciones

Número de parte:	AS4C512M8D3B-12BCNTR
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR3
tamaño de la memoria:	4Gb (512M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	800 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	20 ns
suministro de voltaje:	1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	78-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	78-FBGA (10.5x9)