W632GG8MB11J

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Número de parte	W632GG8MB11J
LIXINC Part #	W632GG8MB11J
Fabricante	Winbond Electronics Corporation
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	W632GG8MB11J Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

W632GG8MB11J Especificaciones

Número de parte:	W632GG8MB11J
Marca:	Winbond Electronics Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Winbond Electronics Corporation
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR3
tamaño de la memoria:	2Gb (256M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	933 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	20 ns
suministro de voltaje:	1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	78-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	78-VFBGA (8x10.5)

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