R1RW0408DGE-2LR#B1 | Renesas Electronics America R1RW0408DGE-2LR#B1 | R1RW0408DGE-2LR#B1 Inventory, Best Pricing

R1RW0408DGE-2LR#B1

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Número de parte	R1RW0408DGE-2LR#B1
LIXINC Part #	R1RW0408DGE-2LR#B1
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	R1RW0408DGE-2LR#B1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

R1RW0408DGE-2LR#B1 Especificaciones

Número de parte:	R1RW0408DGE-2LR#B1
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM
tamaño de la memoria:	4Mb (512K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	12ns
tiempo de acceso:	12 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	36-SOJ