R1RW0408DGE-2PR#B0

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Número de parte R1RW0408DGE-2PR#B0
LIXINC Part # R1RW0408DGE-2PR#B0
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD R1RW0408DGE-2PR#B0 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Nov 01 - Nov 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1RW0408DGE-2PR#B0 Especificaciones

Número de parte:R1RW0408DGE-2PR#B0
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Renesas Electronics America
serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM
tamaño de la memoria:4Mb (512K x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:12ns
tiempo de acceso:12 ns
suministro de voltaje:3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:36-SOJ

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