IS43TR16128D-093NBLI

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Número de parte IS43TR16128D-093NBLI
LIXINC Part # IS43TR16128D-093NBLI
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IS43TR16128D-093NBLI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43TR16128D-093NBLI Especificaciones

Número de parte:IS43TR16128D-093NBLI
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:Automotive, AEC-Q100
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR3
tamaño de la memoria:2Gb (128M x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:1.066 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:15ns
tiempo de acceso:20 ns
suministro de voltaje:1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:96-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:96-TWBGA (9x13)

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