MT47H512M4THN-3:E TR

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Número de parte	MT47H512M4THN-3:E TR
LIXINC Part #	MT47H512M4THN-3:E TR
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT47H512M4THN-3:E TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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Envío

MT47H512M4THN-3:E TR Especificaciones

Número de parte:	MT47H512M4THN-3:E TR
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:	2Gb (512M x 4)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	333 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	450 ps
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	63-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	63-FBGA (8x10)

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