MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

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Número de parte	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Especificaciones

Número de parte:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND
tamaño de la memoria:	512Gb (64G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	333 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	132-VBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	132-VBGA (12x18)