S29GL512N10FFAR23 | Cypress Semiconductor S29GL512N10FFAR23 | S29GL512N10FFAR23 Inventory, Best Pricing

S29GL512N10FFAR23

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Número de parte	S29GL512N10FFAR23
LIXINC Part #	S29GL512N10FFAR23
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	S29GL512N10FFAR23 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

S29GL512N10FFAR23 Especificaciones

Número de parte:	S29GL512N10FFAR23
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	GL-N
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NOR
tamaño de la memoria:	512Mb (64M x 8, 32M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	100ns
tiempo de acceso:	100 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	64-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	64-FBGA (13x11)