MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | Micron Technology MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Inventory, Best Pricing

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

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Número de parte	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
LIXINC Part #	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Especificaciones

Número de parte:	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:	16Gb (512M x 32)
interfaz de memoria:	-
frecuencia de reloj:	1.866 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.1V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	200-WFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	200-WFBGA (10x14.5)