NM27C512QE150

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Número de parte NM27C512QE150
LIXINC Part # NM27C512QE150
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28CDIP
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD NM27C512QE150 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NM27C512QE150 Especificaciones

Número de parte:NM27C512QE150
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:EPROM
tecnología:EPROM - UV
tamaño de la memoria:512Kb (64K x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:150 ns
suministro de voltaje:4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete / caja:28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
paquete de dispositivos del proveedor:28-CDIP

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